Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения
Тип носителя:
Однотомник.
Место издания:
Москва
Издательство:
ИНФРА-М
Год издания:
2020
Объем:
145 с.
Название серии:
Высшее образование - Бакалавриат
Аннотация:
Изложены теоретические основы и методические указания по проведению практических занятий при изучениии дисциплины «Основы кристаллографии и дефекты кристаллического строения», выполняемых в форме сочетания теоретических учебных занятий в классе и изучения моделей дефектов кристаллической решетки.
Федеральное государственное бюджетное учреждение культуры «Российская государственная библиотека для молодёжи»
Главное здание
107061 Москва, ул. Б. Черкизовская, дом 4, корпус 1 Метро «Преображенская площадь» (выход №5) Телефон для справок: +7 499 670-80-01 E-mail: info@rgub.ru
Филиал библиотеки — МИКК «Особняк В.Д. Носова»
107023 Москва, ул. Электрозаводская, 12, стр. 1 Метро «Электрозаводская» Телефоны для справок: +7 499 670-80-01 (доб. 600) E-mail: mansion@rgub.ru
![Карташов Э. М., Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел. [Учеб. пособие для втузов] — 1985](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000185926.jpg "Карташов Э. М., Аналитические методы в теории теплопроводности твердых тел. [Учеб. пособие для втузов] — 1985»")
![Бонч-Бруевич В.Л., Физика полупроводников. [Учеб. пособие для физ. спец. вузов] — 1990](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000185933.jpg "Бонч-Бруевич В.Л., Физика полупроводников. [Учеб. пособие для физ. спец. вузов] — 1990»")
