В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10−20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Издание представлено в двух частях. В первой части рассмотрены наносхемотехника и наноэлектроника логических схем, во второй — наносхемотехника и наноэлектроника схем памяти. Учебник соответствует актуальным требованиям Федерального государственного образовательного стандарта высшего образования. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети», а также научных работников, аспирантов и инженеров, специализирующихся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем
Федеральное государственное бюджетное учреждение культуры «Российская государственная библиотека для молодёжи»
Главное здание
107061 Москва, ул. Б. Черкизовская, дом 4, корпус 1 Метро «Преображенская площадь» (выход №5) Телефон для справок: +7 499 670-80-01 E-mail: info@rgub.ru
Филиал библиотеки — ИКК «Особняк В.Д. Носова»
107023 Москва, ул. Электрозаводская, 12, стр. 1 Метро «Электрозаводская» Телефоны для справок: +7 499 670-80-01 (доб. 600) E-mail: mansion@rgub.ru
![Малышева И. А., Технология производства интегральных микросхем. [Учеб. для сред. спец. учеб. заведений] — 1991 (Учебник для техникумов)](/searchcat/covers/RGUB-BIBL-0000344945.jpg)
