Изложены основы работы силовых полупроводниковых приборов — диодов, транзисторов и тиристоров. Описаны конструкции полупроводниковых структур силовых приборов, позволяющие резко повысить их статические и динамические параметры, а также конструкции корпусов и охладителей. Рассмотрены разновидности силовых тиристоров и описаны полупроводниковые приборы, принцип действия которых основан на различных физических явлениях в полупроводниках. Приведен расчет силовых полупроводниковых приборов по заданной совокупности их параметров. тДля учащихся техникумов в качестве учебника по курсу «Силовые полупроводниковые приборы»
Федеральное государственное бюджетное учреждение культуры «Российская государственная библиотека для молодёжи»
Главное здание
107061 Москва, ул. Б. Черкизовская, дом 4, корпус 1 Метро «Преображенская площадь» (выход №5) Телефон для справок: +7 499 670-80-01 E-mail: info@rgub.ru
Филиал библиотеки — ИКК «Особняк В.Д. Носова»
107023 Москва, ул. Электрозаводская, 12, стр. 1 Метро «Электрозаводская» Телефоны для справок: +7 499 670-80-01 (доб. 600) E-mail: mansion@rgub.ru
