В монографии дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований, проводимых в Институте полупроводников АН УССР. Значительное внимание уделено исследованиям, положившим начало новым направлениям в теории полупроводников, оптике и радиоспектроскопии полупроводников, физике неравновесных явлений в объеме и на поверхности полупроводников, в изучении электронных и структурных свойств полупроводников. Освещены современное состояние и перспективы развития исследований по материаловедению полупроводников, фотоэлектронике и метрической электронике, определяющие новые пути в современном полупроводниковом приборостроении. Рассмотрены вопросы некогерентной оптоэлектроники как нового научно-технического направления. Показана важная роль фундаментальных физических исследований в создании научных основ полупроводниковой электроники. Для специалистов-физиков, инженерно-технических работников, а также преподавателей и студентов вузов физических специальностей
Федеральное государственное бюджетное учреждение культуры «Российская государственная библиотека для молодёжи»
Главное здание
107061 Москва, ул. Б. Черкизовская, дом 4, корпус 1 Метро «Преображенская площадь» (выход №5) Телефон для справок: +7 499 670-80-01 E-mail: info@rgub.ru
Филиал библиотеки — МИКК «Особняк В.Д. Носова»
107023 Москва, ул. Электрозаводская, 12, стр. 1 Метро «Электрозаводская» Телефоны для справок: +7 499 670-80-01 (доб. 600) E-mail: mansion@rgub.ru
