Изложены основные сведения о свойствах и параметрах материалов — полупроводников, проводников, резистивных и магнитных материалов, диэлектриков, используемых в конструкциях радиоэлектронной и электронно-вычислительной аппаратуры. Рассматриваются специфические методы получения кристаллов, эпитаксиальных структур и тонких пленок. Описываются возможные пограничные и межфазные взаимодействия. Некоторые аспекты полупроводникового материаловедения в методическом плане разработаны авторами впервые. Для студентов вузов, обучающихся по специальности"Конструирование и технология радиоэлектронных средств"
Федеральное государственное бюджетное учреждение культуры «Российская государственная библиотека для молодёжи»
Главное здание
107061 Москва, ул. Б. Черкизовская, дом 4, корпус 1 Метро «Преображенская площадь» (выход №5) Телефон для справок: +7 499 670-80-01 E-mail: info@rgub.ru
Филиал библиотеки — ИКК «Особняк В.Д. Носова»
107023 Москва, ул. Электрозаводская, 12, стр. 1 Метро «Электрозаводская» Телефоны для справок: +7 499 670-80-01 (доб. 600) E-mail: mansion@rgub.ru
